Liown GS31
" (522)GS31火花隙RoHS（SGS）测试报告（CKGEC2200698514）
本报告为Spark Gap SMD（GS31）样品的测试报告，测试日期为2022年7月26日至8月1日。报告内容包括样品信息、测试方法、测试结果和结论。样品在欧盟RoHS指令（EU）2015/863的铅、汞、镉、六价铬、多溴联苯（PBBs）、多溴联苯醚（PBDEs）、邻苯二甲酸二（2-乙基己基）酯（DEHP）、丁基苯基邻苯二甲酸酯（BBP）、二丁基邻苯二甲酸酯（DBP）和二异丁基邻苯二甲酸酯（DIBP）等有害物质测试中，部分项目未通过，但铅、汞、镉和六价铬项目通过。
GS31/GS20/GS26/GS41 Spark Gap AXIAL CTI Test Report (A224045791810102)
GS31/GS20/GS26/GS14 Spark Gap SMD CTI Test Report (A224045791810101)
GS31火花隙（SGS）测试报告（CKGEC2200698516）
本报告为SGS-CSTC Standards Technical Services (Chongqing) Co., Ltd.出具，针对客户LIOWN SEMICONDUCTOR CO., LTD.提供的Spark Gap SMD（GS31）样品进行测试。测试内容包括铅、镉、汞、六价铬、多溴联苯和多溴联苯醚等有害物质的检测。结果显示，样品中的铅含量超出GB/T26572-2011标准限值。报告还包括了测试方法、流程图和样品照片等信息。
GS41火花隙（SGS）测试报告（CKGEC2200698504）
本报告为SGS-CSTC Standards Technical Services (Chongqing) Co., Ltd.出具，针对客户LIOWN SEMICONDUCTOR CO., LTD.提供的Spark Gap DIP（GS41）样品进行测试。测试内容包括铅、镉、汞、六价铬、多溴联苯（PBBs）和多溴联苯醚（PBDEs）等有害物质的含量检测。结果显示，样品中的铅含量超出GB/T26572-2011标准限值，其他测试项目均符合标准要求。
GS41火花隙RoHS（SGS）测试报告（CKGEC2200698502）
本报告为Spark Gap DIP（GS41）样品的测试报告，由LIOWN SEMICONDUCTOR CO., LTD.提供。测试内容包括EU RoHS指令中的有害物质检测，包括铅、汞、镉、六价铬、多溴联苯（PBBs）、多溴联苯醚（PBDEs）、邻苯二甲酸酯类等。测试结果显示，样品未能满足EU RoHS指令的要求，部分有害物质含量超过限值。
半导体分立器件 IATF16949: 2016 第 1 版质量管理体系认证证书 (Semiconductor Discrete Devices IATF16949:2016 1st Edition CERTIFICATE OF REGISTRATION) (0514686)
半导体分立器件 IECQ QC 080000:2017 Ed4.0 &HXC-HSPMS-R-001（航鑫检测）有害物质管理体系认证证书 (semiconductor discrete devices IECQ QC 080000:2017 Ed4.0 &HXC-HSPMS-R-001 (HXC) Certificate of Hazardous Substance Management System) (428003-2022HSPM0011)
80LD05压敏电阻出厂检验合格证（40054217）
Liown Semiconductor Co., Ltd.获得VDE Testing and Certification Institute颁发的证书，证明其生产的180LD05至112KD10型号的Varistor符合IEC 61051-1:2007、IEC 61051-2:1991、IEC 61051-2:1991/AMD1:2009和IEC 61051-2-2:1991标准。证书有效期为2021年10月20日至2023年10月19日。
Electrostatic Discharge Protection RoHS (SGS) Test Report (CANEC24004221001)
DIE RoHS (SGS) Test Report (CANEC24003807801)
DIE REACH (SVHC) (SGS) Test Report (CANEC24003807803_1)
Electrostatic Discharge Protection REACH (SVHC) (SGS) Test Report (CANEC24004221003)
2R-8气体放电管（SGS）测试报告（CKGEC2200698512）
本报告为SGS对LIOWN SEMICONDUCTOR CO., LTD.提供的气体放电管DIP样品进行的测试报告。报告编号CKGEC2200698512，测试日期为2022年8月1日。报告内容包括样品描述、测试方法、测试结果和结论。测试项目包括铅、汞、镉、六价铬、多溴联苯（PBB）和多溴联苯醚（PBDE）等有害物质的含量，测试结果均符合GB/T26572-2011标准限值。
压敏电阻器（CQC）产品认证证书（CQC21001314195）
本证书证明Liown Semiconductor Co., Ltd.生产的压敏电阻器符合GB/T 10193-1997和GB/T 10194-1997标准。产品型号包括180LD07至821KD07，具有不同的电压敏感值、最大连续交流电压和最大连续直流电压。证书有效期为2021年10月15日至2026年7月27日。
GS31 DIP Series Spark Gap
GS31 SMD Series Spark Gap
HP-L Series Datasheet
SM8S Series Datasheet
HP-L-D16 Series Datasheet
SM6S Series Datasheet
GS3101 Low Voltage, SPDT 2.5Ω Analog Switch
GS3130 1MHZ CMOS Rail-to-Rail IO Opamp with RF Filter
GS3140 IBIS-AMI型号用户指南
本资料为Semtech公司GS3140 IBIS-AMI模型用户指南，介绍了GS3140高速BiCMOS设备的功能和特性，包括支持多种视频和音频标准，优化于不同数据速率。指南详细描述了GS3140 IBIS-AMI模型的组成、Rx和Tx模型的结构，以及如何使用该模型进行信号传输的仿真。此外，还提供了模型中各个部分的详细说明，包括模拟驱动器、接收器、AMI模型和封装模型，以及如何调整输出摆幅和去加重设置。
EB-3GSRD用户指南（GS6152重合闸、GS3140均衡器、GS2989电缆驱动器）
本指南为Semtech EB-3GSRD评估套件提供使用说明，该套件用于评估GS6152多速率串行数字重定时器、GS3140多速率自适应电缆均衡器和GS2989多速率电缆驱动器。指南内容包括硬件组件、入门指南、原理图、板布局和物料清单。该评估板支持3Gb/s速率，旨在简化设备评估过程，并提供通过Micro-USB端口访问内部寄存器的功能。
P6SMB33CA PcbLib & SchLib & IntLib
SMCJ70A PcbLib & SchLib & IntLib
182KD25 PcbLib & SchLib & IntLib
P2300SB PcbLib & SchLib & IntLib
SMBJ26A PcbLib & SchLib & IntLib
联想半导体公司概况
Liown Semiconductor是一家成立于2018年的IDM功率半导体企业，专注于芯片研发、制造、组装、测试和销售。公司技术涵盖保护器件、晶闸管和整流器等领域，在多层芯片技术、高结温低漏电流技术、多层钝化工艺和超强抗干扰晶闸管技术等方面处于行业领先地位。公司拥有近30名芯片研发人员和50多名芯片工艺、组装与测试技术人员，致力于为客户提供定制化芯片产品设计和系统应用解决方案。Liown Semiconductor注重研发投入和技术积累，已通过ISO9001、ISO14001和IATF16949认证，致力于成为全球最具竞争力的功率半导体IDM企业。
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